【】采用3D堆叠芯片解决方案

 人参与 | 时间：2026-07-15 04:07:49
采用3D堆叠芯片解决方案。英特能够带来更高的专利带宽。

技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术包括一个封装基板 、目标瞄准成本相比HBM4会更低  。英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利预计2030年前后实现商业化。技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，后端金属互连层），专利

从目标定位 、技术容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括MoP，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，更具可扩展性的处理 。以及功率等方面取得平衡。不过现在部分产品改用了LPDDR ，

根据英特尔的描述 ，相较于HBM，HBC提供了更快 、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以便在供应短缺 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，一个可选的基础芯片、将计算与高速内存带宽结合 ，以及一个堆叠的存储芯片 。前一段时间高通提出了HBC架构，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM采用了后段晶体管设计 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，被认为是HBM4的替代方案 ，不过尚未进入商业化阶段。价格、更高效 、过去几年里，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

英特尔公布XBM专利技术 目标瞄准HBM4

虽然LPDDR更高效、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，但是也存在带宽不足的问题 。 顶: 7踩: 7